PGS.TS Ngô Ngọc Hà

TDTU, 14/11/2025
122

 

Họ và tên: Ngô Ngọc Hà

Số lượng công bố (WoS): 30

H-index (theo WoS): 10

Mail: ngongocha@tdtu.edu.vn

  1. Hướng nghiên cứu chính:
  • Vật liệu huỳnh quang trong chiếu sáng rắn:

122

(2) Quang tử Si và các ứng dụng:

122

 (3) Quang phổ học phân giải thời gian cực nhanh:

122

  1. Công bố tiêu biểu (5 bài):

 - H. T. Hien, D. T. Dat, H. T. Giang*, G. H. Thai, N. T. Hieu, D. T. A. Thu, P. Q. Ngan, P. T. Anh, N. N. Ha*, “Tunability of Morphology and Conductivity of PPy Films Deposited Au/PI Flexible Electrode for High-Sensitivity EGFET-Based pH Sensor,” Advanced Materials Technologies, e00639 (2025).

 - H. G. Chuc, P. M. Tri, M. T. Tran, D. Q. Trung, N. Tu, N. V. Du, N. M. Hieu, N. D. T. Kien, T. N. Bach, L. T. Ha, N. D. Hung, D. X. Viet, N. N. Ha, P. T. Huy, “Broadly tunable full-visible-spectrum ZnS/ZnO:Mn²⁺ composite microphosphor for warm WLED applications,” RSC Advances, 15, 26027 (2025).

 - N. T. N. Lam, D. V. Thuong, N. N. Ha*, N. D. Dung, D. V. A. Dung, H. T. Giang, X. T. Vu, “Decisive role of dopants in the optical properties of vertically aligned silicon nanowires prepared by metal-assisted chemical etching,” Optical Materials, 121, 111632 (2021).

 - N.N. Ha*, N.T. Giang, T.N. Khiem, N.D. Dung, T. Gregorkiewicz, “Spectral probing of carrier traps in Si–Ge alloy nanocrystals”, Physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters 10 (11), 824-827 (2016).

 - N. N. Ha*, N. T. Giang, T. T. T. Thuy, N. N. Trung, N. D. Dung, S. Saeed, T. Gregorkiewicz, “Single phase Si₁₋ₓGeₓ nanocrystals and the shifting of the E₁ direct energy transition,” Nanotechnology, 26(37), 375701 (2015).

  1. Đề tài/dự án đã chủ trì/tham gia (số lượng): 05

STT

Tên đề tài/dự án

Cơ quan tài trợ kinh phí

Thời gian thực hiện

Vai trò

1

Carrier multiplication in Ge and SiGe nanocrystals embedded in larger band gap materials

 

 

NAFOSTED

 

 

2013-2016

Chủ nhiệm đề tài

2

High-efficient energy-transformation Si-Ge based photovoltaic materials

 

MOET

 

2017-2018

Chủ nhiệm đề tài

3

Materials based on SiGe nanocrystals: experiment and modelling

 

VAST

 

2018-2019

Thành viên chính

4

Development of near infrared fluorescent materials based on Ge and SiGe alloy nanostructures

NAFOSTED

 

2019-2021

Chủ nhiệm đề tài
  1. Đào tạo thành công Tiến sĩ/Thạc sĩ …: 02 NCS và 04 Thạc sĩ

Đề tài: “Nghiên cứu hiệu ứng nhân hạt tải điện trong Ge và SiGe nanô tinh thể trên nền vật liệu vùng cấm rộng”, NCS. Nguyễn Trường Giang (2020).

Đề tài: “Nghiên cứu chế tạo và tính chất của một số vật liệu nano trên cơ sở Si và Ge”, NCS. Lê Thành Công (2021)

  1. Sản phẩm khoa học/ chuyển giao công nghệ tiêu biểu (bằng sáng chế, giải pháp hữu ích):
  2. Các thành tích khác (ban biên tập tạp chí/ giải thưởng ….):

- Phản biện của các tạp chí Physica Status Solidi (RRL)–Rapid Research Letters , Journal of Physics and Chemistry of Solids, Materials Science in Semiconductor Processing, Nanotechnology, Physica B, Solid State Communications,…

- Biên tập viên sách: Hiểu về công đoạn chế tạo bán dẫn (dịch từ tiếng Hàn)

- Bằng khen từ Hội Vật lý Việt Nam (Vietnam Physics Association) vì những đóng góp trong giai đoạn 2014-2018.

- Chiến sĩ thi đua cấp cơ sở của Trường Đại học Bách khoa Hà Nội (HUST) trong các năm học 2013-2014, 2014-2015.