Chúc mừng TS. Trịnh Dũng Chinh công bố công trình nghiên cứu trên tạp chí quốc tế uy tín The Journal of Physical Chemistry C

Viện Công nghệ Tiên tiến (IAST), Trường Đại học Tôn Đức Thắng trân trọng chúc mừng TS. Trịnh Dũng Chinh với công trình nghiên cứu vừa được công bố trên tạp chí quốc tế uy tín The Journal of Physical Chemistry C – tạp chí hàng đầu của Hiệp hội Hóa học Hoa Kỳ (ACS) trong lĩnh vực vật liệu và hóa lý.

Bài báo có tiêu đề “Effective Decoupling Bulk Conductivity and Surface Electrochemical Stability in Sol-Gel ATO Thin Films – Insights from Electronic Structure and Crystallization Kinetics”

Nghiên cứu này thiết lập cơ chế phân tách hiệu quả giữa tính dẫn điện khối và độ bền điện hóa bề mặt trong màng mỏng SnO₂:Sb (ATO) được chế tạo bằng phương pháp sol-gel ở nhiệt độ thấp. Kết quả thực nghiệm cho thấy việc pha tạp Sb cho phép gia tăng độ dẫn điện khối lên hơn ba bậc đại lượng, trong khi chỉ gây ra sự suy giảm tối thiểu dưới 5% hiệu suất bảo vệ chống ăn mòn. Phân tích Rietveld xác nhận vai trò kép của Sb vừa là chất thúc đẩy kết tinh (giảm hàm lượng vô định hình từ 39.1% xuống 17.1%), vừa là chất ức chế sự phát triển hạt để tạo ra mạng lưới biên hạt nano dày đặc, đóng vai trò rào cản vật lý ngăn chặn sự xâm nhập của chất điện ly. Bên cạnh đó, mô phỏng DFT làm rõ bản chất điện tử của hiện tượng thông qua quá trình kim loại hóa khối do dịch chuyển mức Fermi vào vùng dẫn, kết hợp với sự gia tăng hàm công thoát bề mặt, giúp nâng cao tính trơ nhiệt động. Sự tổng hòa các kết quả này khẳng định rằng tính dẫn điện và độ bền điện hóa có thể được tối ưu hóa độc lập thông qua việc kiểm soát cấu trúc và năng lượng bề mặt.

Thành công này một lần nữa khẳng định vị thế và năng lực nghiên cứu của đội ngũ nghiên cứu viên tại Viện Công nghệ tiên tiến.

Một lần nữa, xin chúc mừng các tác giả luôn giữ vững đam mê và gặt hái thêm nhiều thành công rực rỡ trong sự nghiệp nghiên cứu.