Seminar by Dr. Man Minh Tan and Dr. Pham Thi Thu Thao

At 2:00 p.m. on March 20, 2025, IASTorganized an academic exchange session at the 5th Floor Meeting Room of the Library.

Dr. Man Minh Tan presents about "Carrier dynamics of CdTe and CdZnTe Quantum dots"

Abstract:

We investigate the optical properties and carrier dynamics of CdTe quantum dots embedded into ZnTe barrier layer, which shows various monolayer CdTe quantum dots with fully grown self-assemble quantum dots (QDs). The carrier dynamics in quantum dots (QDs) must be thoroughly understood to apply them in optoelectronic devices. The main consequences of temperature dependent carrier dynamic processes are variation of the QD band gap (Eg), homogeneous linewidth broadening, and quenching of the photoluminescence (PL) intensity by thermal escape of carriers to high energy levels. Several relaxation processes have been proposed to explain the carrier dynamics, which consists in the activation of an emission of phonons, mediated by electron – phonon interaction. In similar approach, we shown that the unusual temperature dependence of line broadening could consider the following recombination channels: (1) discrete recombination between electrons and holes in an s or in a p orbital, correspond to 1S[1S3/2(h)-1Se], 2S[2S3/2(h)-1Se], and 1P[1P3/2(h)-1Pe] transitions; (2) when the electron continuum starts to be populated, the nonradiative processes become predominant so that type thermal escape of carriers, which assisted by the carrier scattering via longitudinal-phonons, can be viewed as nonradiative channels. In additional, The coupling of both the exciton-acoustic phonons and exciton-longitudinal optical (LO) phonons is attributed to the quantum confinement effects. The temperature dependence of the PL spectra shows how the thermal energy activated redistributes the carriers into the localization potentials, and the thermal escape of carriers assisted by multiple phonons will also be discussed.

Dr. Pham Thi Thu Thao  presents about "Nghiên cứu hoạt tính bắt gốc tự do của nhóm N-H và O-H trong N-Phenylhydroxylamine"

Abstract:

Hydroxylamine đã được xác định là chất chống oxy hóa đầy hứa hẹn có thể phá vỡ hiệu quả các gốc tự do chủ yếu thông qua cơ chế chuyển hydro. Cụ thể, đối với N-phenylhydroxylamines, người ta tin rằng cả liên kết N-H và O-H đều đóng vai trò là hai trung tâm cung cấp hydro chịu trách nhiệm cho cơ chế này. Các phương pháp M06-2X/6-311++G(d,p) và CBS-QB3 đã được sử dụng để đánh giá lại các enthalpy phân ly liên kết của N-H và O-H và kết quả được thấy là phù hợp với nhau. Các giá trị BDE(N-H) được xem xét lại trong môi trường pha khí, DMSO và nước lần lượt là 74,8, 77,1 và 78,9 kcal/mol, trong khi các giá trị BDE(O-H) thấp hơn khoảng 5,0, 7,6 và 6,0 kcal/mol khi so sánh. Ngoài ra, hiệu ứng của việc thay thế bằng halogen, nhóm cho electron và nhóm hút electron tại vị trí para của vòng thơm ArNHOH trên BDE của cả liên kết N-H và O-H đã được đánh giá. Ngoài việc kiểm tra vai trò của liên kết O-H và N-H trong việc bẫy các gốc tự do, nghiên cứu hiện tại đã kết hợp một khía cạnh động học để hiểu rõ hơn về các cơ chế liên quan. Hơn nữa, một đánh giá về khả năng chống oxy hóa của N-phenylhydroxylamine đã được thực hiện thông qua việc thực hiện xét nghiệm đối với DPPH.